基本介绍

基本介绍:

日盲紫外320×256焦平面器件属目前国内最 高水平的宽禁带GaN基半导体紫外器件。该器件采用国际先进工艺,具有可见光自截止的特点,紫外宽禁带半导体焦平面拥有极广泛应用前景,其应用过程中可以不使用紫外滤光片(区别于光电倍增光PMT),且图像拥有10阶以上灰度,同时采用不同Al组分的AlGaN焦平面器件可对紫外波段进行多光谱或超光谱成像。(单元器件也可定制)

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主要指标:

光学特性:

1.紫外面阵分辨率:320×256

2.像素大小:50×50μm

3.UV均匀性:<10%

4.响应波段:240nm~280nm

电学特性:

1.曝光方式:同时积分

2.动态范围:>65dB

3.UV帧频:>60Hz

4.功耗:< 3W

5.供电电压:5V

6.工作温度:室温工作(300K)

7.读出速率:≥5MHz

其它技术特点:光谱可调响应波段:240~280nm                              

主要应用:

    主要应用于日盲波段紫外探测,以及制作紫外成像系统等领域。目前国内外的紫外应用已经延伸至高技术民用领域,包括紫外化工、生物学、工业(主要集中在超高温固体燃料、火灾隐患、智能电网等)等领域。


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