制冷短波红外InGaAs探测器

产品介绍

我所研究的制冷短波红外InGaAs探测器在较高的工作温度具有较高的探测率、较高的信噪比、较低功耗、较长寿命；且近红外InGaAs外延材料具有较好的均匀性和稳定性，器件制备工艺过程与Si工艺兼容，材料与器件的抗辐照性能好；近红外InGaAs材料体系吸收层具有低的本底载流子浓度和高迁移率，有利于在近红外波段获得平滑的量子效率。

探测器在盲元、串音、集成TEC的金属管壳封装等方面取得了关键技术突破；截止波长为1.7μm的产品性能达到国内领先，主要指标达到国外同类产品的技术水平；截止波长为2.4μm的产品填补了国内空白。

该探测器组件由InGaAs芯片、读出电路及一个过渡电极板组合而成。光敏芯片采用正入射结构，光敏元为长条形结构，光敏元呈一字型排列，相邻光敏元的中心距为50μm，单个光敏元尺寸为50μm×500μm，管壳上按标准双列直插规则排列了30只引脚，侧面引出两只热电致冷器引线，满足焊接要求。组件内部的光学零件有2个，芯片和窗口。考虑到尽量减少杂散光的影响，组件的窗口离芯片的距离比较近，约为1.6mm。

主要指标

主要应用

1-3μm红外探测技术在空间遥感领域有着重要的应用，由于很多物质在该波段具有独特的光谱特性，短波红外探测器在空间对地探测方面有着重要的作用，如了解资源分布、土壤水分监测、大气成分分析、农作物估产等。

在民用领域，主要用于扫描型短波红外成像系统（食品监测、医学影像、工业检测等）、微型近红外光谱仪（食品、水质、农产品、石油、矿产等检测）。

在科研方面，也可用于扫描型短波红外成像系统、微型近红外光谱仪等产品。